Полупроводниковые приборы и их применение. Сборник статей. Выпуск 17

СОДЕРЖАНИЕ
Я. А. Федотов, Э. А. Матсон Полупроводниковые приборы с гетеропереходами.
Е. А. Георгиевская, А. Н. Мансуров, В. С. Эткин Вопросы применения в ЭВМ устройств с модуляцией некогерентной несущей оптического диапазона.
Е. А. Георгиевская, А. Н. Мансуров, В. С. Эткин Характеристики транзистора с оптической связью (устройства с модуляцией-демодуляцией оптической несущей).
А. Н. Кармазинский О методике определения средней интегральной крутизны канальных транзисторов в триггере с непосредственными
связями.
И. А. Попов Приближенный анализ работы транзистора в генераторном режиме.
В. Л. Аронов Определение максимальной температуры в мощном транзисторе при потере термической устойчивости.
Д. В. Игумнов Малосигнальные параметры транзистора в инверсном включении.
И. С. Громов Определение напряжения насыщения транзистора по входным характеристикам.
В. А. Горохов, Г. В. Кошеляев, Г. П. Тулункин Остаточное напряжение в полупроводниковых приборах с диффузионными p-n переходами.
С. Г. Мадоян, А. М. Зубков О деградации туннельных диодов из арсенида галлия.
И. А. Дубровский Усилительные возможности однокаскадных RС-усилителей на туннельных диодах.
В. В. Лившиц Преобразование частоты большого сигнала и расширение динамического диапазона смесительных диодов СВЧ.
А. Н. Кармазинский Переходные процессы в триггере на канальных транзисторах.
А. Г. Филиппов Бестрансформаторный динамический инвертор с запоминающей емкостью.
Ю. А. Попов, Б. Н. Оныкий Транзисторный ключ с импульсным питанием как универсальный логический элемент.
В. У. Кизилов, В. А. Скубко Анализ мостовой схемы транзисторного ключевого модулятора.