Флуктуационные явления в полупроводниках и полупроводниковых приборах

Рассмотрены методы теоретического анализа флуктуационныхявлений в полупроводниках. Приведены рекомендации по их применению при исследовании шумовых характеристик различных приборов: фоторезисторов, полевых и биполярных транзисторов, фото– и светодиодов, лавинно–пролетных диодов, транзисторных элементов микросхем и др. Показано, какая информация о нешумовых характеристиках и параметрах полупроводниковых приборов и материалов, а также о механизмах протекающих в них физических процессов содержится в результатах флуктуационных исследований и как она расшифровывается.
Изложены методы шумовой спектроскопии уровней, а также методы экспериментального определения источников шума в электронных приборах.